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SOIC-8 PACKAGE DRAWING
8 Pin Plastic SOIC Package
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0.35
0.18
4.69
3.50
0.25
0.45
0.25
5.00
4.05
0.004
0.014
0.007
0.185
0.140
0.010
0.018
0.010
0.196
0.160
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6.30
0.224
0.248
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ALD110800/ALD110800A/ALD110900/ALD110900A
Advanced Linear Devices
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